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基于ss8lpu工艺的闪存控制phy横向模块集成电路布图登记申请证书-9479威尼斯
更新时间：2024年6月19日
基于ss8lpu工艺的闪存控制phy横向模块集成电路布图设计由芯云凌（重庆）电子科技有限公司获得国家知识产权局申请集成电路布图设计登记(集成电路布图设计登记号：bs.235591491),按照国家《集成电路布图设计保护条例》相关法律法规,受到法律保护。集成电路布图名称：基于 ss8 lpu工艺的闪存控制 phy横向模块
登记号：bs.235591491
权利人：芯云凌（重庆）电子科技有限公司
创作人：关立军、张仕红、张璠
申请日期：2023年11月3日
公告日期：2024年6月19日
权利人地址：
集成电路布图设计属于i类知识产权，在高新项目申报中其价值含量与发明专利作用同等。集成电路布图设计申请周期约为2个月左右。布图设计自登记之日起保护期限为10年。集成电路布图设计登记申请之日或在世界任何地方首次投入商业使用之日计算，以较前日期为准，保护期限为10年。布图设计专有权，是指通过申请注册后依法获得利用集成电路设计布图实现布图设计价值得到商业利益的权益，也是用于侵权诉讼的依据。
以上信息来自国家知识产权局，如信息有误请联系我方更正！
